Samsung MZ-V9S1T0 1 TB M.2 PCI Express 4.0 NVMe V-NAND TLC

Especificaciones

SDD, capacidad

1 TB

Factor de forma de disco SSD

M.2

Interfaz

PCI Express 4.0

NVMe

Si

Tipo de memoria

V-NAND TLC

Componente para

PC

Encriptación de hardware

Si

Versión NVMe

2.0

Algoritmos de seguridad soportados

256-bit AES

Tamaño de la unidad SSD M.2

2280 (22 x 80 mm)

Velocidad de lectura

7150 MB/s

Velocidad de escritura

6300 MB/s

Lectura aleatoria (4KB)

850000 IOPS

Escritura aleatoria (4KB)

1350000 IOPS

Función DevSleep

Si

Soporte S.M.A.R.T.

Si

Soporte TRIM

Si

Tiempo medio entre fallos

1500000 h

Voltaje de operación

3,3 V

Consumo de energía (lectura)

4,3 W

Consumo de energía (escritura)

4,2 W

Consumo eléctrico promedio (lectura)

4,3 W

Consumo eléctrico promedio (escritura)

4,2 W

Consumo de energía (espera)

0,06 W

Consumo de potencia DevSlp (modo sueño)

5 mW

Ancho

80,2 mm

Profundidad

2,38 mm

Altura

80,2 mm

Peso

9 g

Ancho del paquete

145 mm

Profundidad del paquete

100 mm

Altura del paquete

24 mm

Peso del paquete

68 g

Intervalo de temperatura operativa

0 - 70 °C

Golpes en funcionamiento

1500 G