Samsung MZ-VAP4T0 4 TB M.2 PCI Express 5.0 NVMe V-NAND TLC

Especificaciones

SDD, capacidad

4 TB

Factor de forma de disco SSD

M.2

Interfaz

PCI Express 5.0

NVMe

Si

Tipo de memoria

V-NAND TLC

Componente para

PC/Consola de videojuegos

Encriptación de hardware

Si

Versión NVMe

2.0

Algoritmos de seguridad soportados

256-bit AES

Tamaño de la unidad SSD M.2

2280 (22 x 80 mm)

Velocidad de lectura

14800 MB/s

Velocidad de escritura

13400 MB/s

Lectura aleatoria (4KB)

2200000 IOPS

Escritura aleatoria (4KB)

2600000 IOPS

Carriles datos de interfaz PCI Express

x4

Función DevSleep

Si

Soporte S.M.A.R.T.

Si

Soporte TRIM

Si

Tiempo medio entre fallos

1500000 h

Voltaje de operación

3,3 V

Consumo de energía (lectura)

9 W

Consumo de energía (escritura)

8,2 W

Consumo eléctrico promedio (lectura)

9 W

Consumo eléctrico promedio (escritura)

8,2 W

Consumo de energía (espera)

0,007 W

Consumo de potencia DevSlp (modo sueño)

5,7 mW

Ancho

80,2 mm

Profundidad

2,38 mm

Altura

80,2 mm

Peso

9 g

Ancho del paquete

143 mm

Profundidad del paquete

98 mm

Altura del paquete

22 mm

Peso del paquete

65 g

Tipo de embalaje

Caja

Intervalo de temperatura operativa

0 - 70 °C

Golpes en funcionamiento

1500 G

Periodo de garantía

5 año(s)